Kingston Technology ValueRAM module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR5 6400 MT/s 262-pin SO-DIMM

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    Référence : CO11101
    Kingston Technology ValueRAM . composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 32 Go, Type de mémoire interne: DDR5, Support de mémoire: 262-pin SO-DIMM, Latence CAS: 52
    385,96 € HT
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    Caractéristiques
    On-Die ECCOui
    Latence CAS52
    Mémoire interne32 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 32 Go
    Type de mémoire interneDDR5
    Débit de transfert des données de mémoire6400 MT/s
    composant pourOrdinateur portable
    Support de mémoire262-pin SO-DIMM
    ECCNon
    Type de mémoire mise en cacheHorloge non enregistrée (non tamponnée)
    Niveau de mémoire1
    Mémoire de tension1.1 V
    Configuration de module4096M x 64
    Temps du cycle de la ligne (TRC)48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)410 ns
    Rayon de temps actif32 ns
    Profil SPDOui
    Tension de programmation (VPP)1,8 V
    Placage en plombOr
    Norme JEDECOui
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 85 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Durabilité
    Certificats de conformitéRoHS
    Poids et dimensions
    Largeur69,6 mm
    Hauteur30 mm
    Autres caractéristiques
    Ne contient pasHalogène
    Kingston Technology
    CO11101
    KVR64V52BS8-32

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 85 °C
    Largeur
    69,6 mm
    Hauteur
    30 mm
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Certificats de conformité
    RoHS
    Ne contient pas
    Halogène
    Mémoire interne
    32 Go
    Type de mémoire interne
    DDR5
    Support de mémoire
    262-pin SO-DIMM
    composant pour
    Ordinateur portable
    ECC
    Non
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    1 x 32 Go
    Type de mémoire mise en cache
    Horloge non enregistrée (non tamponnée)
    Mémoire de tension
    1.1 V
    Niveau de mémoire
    1
    Débit de transfert des données de mémoire
    6400 MT/s
    Latence CAS
    52
    Configuration de module
    4096M x 64
    Placage en plomb
    Or
    On-Die ECC
    Oui
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    410 ns
    Rayon de temps actif
    32 ns
    Norme JEDEC
    Oui
    Profil SPD
    Oui
    Tension de programmation (VPP)
    1,8 V