Kingston Technology ValueRAM module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR4 3200 MT/s 288-pin DIMM

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    Référence : 342C495
    Kingston Technology ValueRAM . composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 22
    33,78 € HT
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    Caractéristiques
    Latence CAS22
    Mémoire interne4 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 4 Go
    Type de mémoire interneDDR4
    Débit de transfert des données de mémoire3200 MT/s
    composant pourPC/serveur
    Support de mémoire288-pin DIMM
    ECCNon
    Type de mémoire mise en cacheUnregistered (unbuffered)
    Niveau de mémoire1
    Mémoire de tension1.2 V
    Configuration de module512M x 64
    Temps du cycle de la ligne (TRC)45,75 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)350 ns
    Rayon de temps actif32 ns
    Tension de programmation (VPP)2,5 V
    Placage en plombOr
    Norme JEDECOui
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 85 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Durabilité
    Certificats de conformitéRoHS
    Poids et dimensions
    Largeur133,3 mm
    Hauteur31,2 mm
    Données logistiques
    Code du système harmonisé84733020
    Autres caractéristiques
    Pays d'origineTaïwan
    Ne contient pasHalogène
    342C495
    KVR32N22S6/4

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 85 °C
    Largeur
    133,3 mm
    Hauteur
    31,2 mm
    Code du système harmonisé
    84733020
    Pays d'origine
    Taïwan
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Certificats de conformité
    RoHS
    Ne contient pas
    Halogène
    Mémoire interne
    4 Go
    Type de mémoire interne
    DDR4
    Support de mémoire
    288-pin DIMM
    composant pour
    PC/serveur
    ECC
    Non
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    1 x 4 Go
    Type de mémoire mise en cache
    Unregistered (unbuffered)
    Mémoire de tension
    1.2 V
    Niveau de mémoire
    1
    Débit de transfert des données de mémoire
    3200 MT/s
    Latence CAS
    22
    Configuration de module
    512M x 64
    Placage en plomb
    Or
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    45,75 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    350 ns
    Rayon de temps actif
    32 ns
    Norme JEDEC
    Oui
    Tension de programmation (VPP)
    2,5 V