Kingston Technology KSM56R46BD8-32HA module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR5 5600 MT/s 288-pin DIMM

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    Référence fabricant : KSM56R46BD8-32HA
    Kingston Technology KSM56R46BD8-32HA. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 32 Go, Type de mémoire interne: DDR5, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 46
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    Les mémoires Kingston sont conçues, fabriquées et testées pour être rigoureusement conformes aux spécifications exactes de chaque système.

    Caractéristiques
    On-Die ECCOui
    Latence CAS46
    Mémoire interne32 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 32 Go
    Type de mémoire interneDDR5
    Débit de transfert des données de mémoire5600 MT/s
    composant pourPC/serveur
    Support de mémoire288-pin DIMM
    ECCNon
    Type de mémoire mise en cacheRegistered (buffered)
    Niveau de mémoire2
    Mémoire de tension1.1 V
    Configuration de module4096M x 80
    Temps du cycle de la ligne (TRC)48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)295 ns
    Rayon de temps actif32 ns
    Durée de précharge de rang (TRP)16
    Profil SPDOui
    Placage en plombOr
    Norme JEDECOui
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 95 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Durabilité
    Certificats de conformitéRoHS
    Poids et dimensions
    Largeur133,3 mm
    Hauteur31,2 mm
    Autres caractéristiques
    Ne contient pasHalogène
    Kingston Technology
    KSM56R46BD8-32HA

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 95 °C
    Largeur
    133,3 mm
    Hauteur
    31,2 mm
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Certificats de conformité
    RoHS
    Ne contient pas
    Halogène
    Mémoire interne
    32 Go
    Type de mémoire interne
    DDR5
    Support de mémoire
    288-pin DIMM
    composant pour
    PC/serveur
    ECC
    Non
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    1 x 32 Go
    Type de mémoire mise en cache
    Registered (buffered)
    Mémoire de tension
    1.1 V
    Niveau de mémoire
    2
    Débit de transfert des données de mémoire
    5600 MT/s
    Latence CAS
    46
    Configuration de module
    4096M x 80
    Placage en plomb
    Or
    On-Die ECC
    Oui
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    295 ns
    Rayon de temps actif
    32 ns
    Norme JEDEC
    Oui
    Profil SPD
    Oui
    Durée de précharge de rang (TRP)
    16