Samsung 9100 PRO Heatsink PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB

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    Référence fabricant : MZ-VAP4T0CW
    Samsung 9100 PRO Heatsink PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 14800 Mo/s, Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s, composant pour: PC/Console de jeux
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    Les performances de la Gen5
    Vivez la révolution avec le SSD 9100 PRO avec dissipateur en atteignant des vitesses séquentielles de lecture jusqu'à 14 800 Mo/s et d'écriture jusqu'à 13 400 Mo/s, presque deux fois plus rapide que le 990 PRO2. Gardez une longueur d'avance avec vitesses aléatoires jusqu'à 2200K en lecture et 2 600K IOPS en écriture, seulement possible avec la Gen5.

    Polyvalent et puissant
    Dépassez les limites de la productivité. Des vitesses de lecture/écriture aléatoires exaltantes permettent un traitement parallèle ultra-rapide pour d'innombrables données fragmentées, jusqu'à 2200K/2600K IOPS. Bénéficiez d'un meilleur rendement et de chargements instantanés pour des jeux énormes, des tâches hautement sophistiquées et même des applications d'intelligence artificielle.

    Créer avec l'IA en un clin d'œil
    L'intelligence artificielle redéfinit les performances. Repoussez vos limites au travail et dans vos loisirs grâce à un PC qui optimise les performances de l'IA. Le 9100 PRO vous accompagnera avec ses vitesses de lecture/écriture aléatoires exaltantes qui vont jusqu'à 2 200K/2 600K IOPS. Chargements rapides, jeu fluide, performances sans faille.

    Faire la différence
    Naviguez entre le montage vidéo, l'art 3D et les jeux HD grâce à la dernière interface PCIe® 5.0. Bénéficiez de performances à la pointe de la technologie Samsung, à tout moment, sur n'importe quel appareil, et restez prêt pour ce qui vous attend avec une capacité étendue allant jusqu'à 8 To.

    Une efficacité thermique remarquable
    Des performances de pointe, sans interruption. L'architecture d'alimentation avancée du contrôleur 5nm améliore l'efficacité énergétique jusqu'à 49 % par rapport au 990 PRO. Le contrôle thermique garantit que le flux ne soit pas perturbé, afin que vous puissiez continuer à exécuter les programmes les plus exigeants avec la puissance maximale que le PCIe® 5.0 peut offrir.

    Fine épaisseur. Puissance maximale.
    Le 9100 PRO est d'une épaisseur de 8,8 mm6, compatible avec la PlayStation® 5, les PC et les ordinateurs portables, conforme aux spécifications PCI SIG® D8. Dépassez les limites d'espace et bénéficiez d'une flexibilité de conception ultime pour construire votre système le plus efficace et le plus performant, grâce au facteur de forme compact M.2.

    Assurer chaque victoire
    Garantissez chaque victoire grâce à une grande capacité de stockage allant jusqu'à 8 To. Le 9100 PRO avec dissipateur thermique offre un espace incroyablement vaste pour étendre votre bibliothèque de jeux. Libérez-vous des contraintes liées au stockage, sauvegardez vos titres et n'effacez plus vos jeux favoris.

    Logiciel Samsung Magician
    Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

    Donner vie aux innovations
    Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

    Performance du PCIe® 5.0
    Des vitesses séquentielles d'écriture jusqu'à 14 800 Mo/s et de lecture jusqu'à 13 400 Mo/s2, presque deux fois plus rapides que le 990 PRO.

    Expérience amplifiée
    De grandes capacités et de nombreuses compatibilités.

    Contrôle thermique innovant
    Jusqu'à 49% d'amélioration de l'efficacité énergétique par rapport au 990 PRO grâce à un contrôle thermique avancé.

    Caractéristiques
    Version NVMe2.0
    Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
    Capacité du Solid State Drive (SSD)4 To
    Facteur de forme SSDM.2
    InterfacePCI Express 5.0
    NVMeOui
    Type de mémoireV-NAND TLC
    composant pourPC/Console de jeux
    Le chiffrement matérielOui
    Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Vitesse de lecture14800 Mo/s
    Vitesse d'écriture13400 Mo/s
    Lecture aléatoire (4KB)2200000 IOPS
    Écriture aléatoire (4KB)2600000 IOPS
    Flux de données d'interface PCI Expressx4
    Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
    Support S.M.A.R.T.Oui
    Support TRIMOui
    Temps moyen entre pannes1500000 h
    Puissance
    Tension de fonctionnement3,3 V
    Consommation électrique (Lecture)9 W
    Consommation électrique (Ecriture)8,2 W
    Consommation électrique moyenne (lecture)9 W
    Consommation électrique moyenne (écriture)8,2 W
    Consommation électrique (idle)0,007 W
    Consommation électrique DevSlp (mode veille)5,7 mW
    Poids et dimensions
    Largeur80,2 mm
    Profondeur8,88 mm
    Hauteur80,2 mm
    Poids30 g
    Informations sur l'emballage
    Type d'emballageBoîte
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 70 °C
    Choc durant le fonctionnement1500 G
    Autres caractéristiques
    Période de garantie5 année(s)
    Samsung
    MZ-VAP4T0CW

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 70 °C
    Largeur
    80,2 mm
    Profondeur
    8,88 mm
    Hauteur
    80,2 mm
    Poids
    30 g
    Type d'emballage
    Boîte
    Temps moyen entre pannes
    1500000 h
    Algorithme de sécurité soutenu
    256-bit AES
    Interface
    PCI Express 5.0
    Capacité du Solid State Drive (SSD)
    4 To
    NVMe
    Oui
    Facteur de forme SSD
    M.2
    Taille du SSD M.2
    2280 (22 x 80 mm)
    Période de garantie
    5 année(s)
    composant pour
    PC/Console de jeux
    Type de mémoire
    V-NAND TLC
    Support S.M.A.R.T.
    Oui
    Support TRIM
    Oui
    Tension de fonctionnement
    3,3 V
    Vitesse de lecture
    14800 Mo/s
    Vitesse d'écriture
    13400 Mo/s
    Le chiffrement matériel
    Oui
    Choc durant le fonctionnement
    1500 G
    Lecture aléatoire (4KB)
    2200000 IOPS
    Écriture aléatoire (4KB)
    2600000 IOPS
    Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
    Oui
    Consommation électrique (Lecture)
    9 W
    Consommation électrique (Ecriture)
    8,2 W
    Consommation électrique (idle)
    0,007 W
    Version NVMe
    2.0
    Flux de données d'interface PCI Express
    x4
    Consommation électrique moyenne (lecture)
    9 W
    Consommation électrique moyenne (écriture)
    8,2 W
    Consommation électrique DevSlp (mode veille)
    5,7 mW