Kingston Technology ValueRAM module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 3200 MT/s 260-pin SO-DIMM

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    Référence fabricant : KVR32S22D8/32
    Kingston Technology ValueRAM . composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 32 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 22
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    Caractéristiques
    Latence CAS22
    Mémoire interne32 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 32 Go
    Type de mémoire interneDDR4
    Débit de transfert des données de mémoire3200 MT/s
    composant pourOrdinateur portable
    Support de mémoire260-pin SO-DIMM
    ECCNon
    Type de mémoire mise en cacheUnregistered (unbuffered)
    Mémoire de tension1.2 V
    Temps du cycle de la ligne (TRC)45,75 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)350 ns
    Rayon de temps actif32 ns
    Tension de programmation (VPP)2,5 V
    Norme JEDECOui
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 85 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Durabilité
    Certificats de conformitéRoHS
    Poids et dimensions
    Largeur69,6 mm
    Profondeur3,7 mm
    Hauteur30 mm
    Données logistiques
    Code du système harmonisé84733020
    Autres caractéristiques
    Pays d'origineTaïwan
    Ne contient pasHalogène
    KVR32S22D8/32

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 85 °C
    Largeur
    69,6 mm
    Profondeur
    3,7 mm
    Hauteur
    30 mm
    Code du système harmonisé
    84733020
    Pays d'origine
    Taïwan
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Certificats de conformité
    RoHS
    Ne contient pas
    Halogène
    Mémoire interne
    32 Go
    Type de mémoire interne
    DDR4
    Support de mémoire
    260-pin SO-DIMM
    composant pour
    Ordinateur portable
    ECC
    Non
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    1 x 32 Go
    Type de mémoire mise en cache
    Unregistered (unbuffered)
    Mémoire de tension
    1.2 V
    Débit de transfert des données de mémoire
    3200 MT/s
    Latence CAS
    22
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    45,75 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    350 ns
    Rayon de temps actif
    32 ns
    Norme JEDEC
    Oui
    Tension de programmation (VPP)
    2,5 V