Kingston Technology KSM64R52BD4-64MH module de mémoire 64 Go 1 x 64 Go DDR5 6400 MT/s 288-pin DIMM ECC

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    Référence fabricant : KSM64R52BD4-64MH
    Kingston Technology KSM64R52BD4-64MH. composant pour: PC, Mémoire interne: 64 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 64 Go, Type de mémoire interne: DDR5, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 52, ECC
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    Caractéristiques
    On-Die ECCOui
    Latence CAS52
    Mémoire interne64 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)1 x 64 Go
    Type de mémoire interneDDR5
    Débit de transfert des données de mémoire6400 MT/s
    composant pourPC
    Support de mémoire288-pin DIMM
    ECCOui
    Type de mémoire mise en cacheRegistered (buffered)
    Mémoire de tension1.1 V
    Temps du cycle de la ligne (TRC)48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)295 ns
    Rayon de temps actif32 ns
    Durée de précharge de rang (TRP)16
    Tension de programmation (VPP)1,8 V
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 95 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Durabilité
    Certificats de conformitéRoHS
    Poids et dimensions
    Hauteur31,2 mm
    Autres caractéristiques
    Organisation des puces2Rx4
    Ne contient pasHalogène
    Kingston Technology
    KSM64R52BD4-64MH

    Fiche technique

    Température d'opération
    0 - 95 °C
    Hauteur
    31,2 mm
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Certificats de conformité
    RoHS
    Ne contient pas
    Halogène
    Mémoire interne
    64 Go
    Type de mémoire interne
    DDR5
    Support de mémoire
    288-pin DIMM
    composant pour
    PC
    ECC
    Oui
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    1 x 64 Go
    Type de mémoire mise en cache
    Registered (buffered)
    Mémoire de tension
    1.1 V
    Débit de transfert des données de mémoire
    6400 MT/s
    Latence CAS
    52
    Organisation des puces
    2Rx4
    On-Die ECC
    Oui
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    48 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    295 ns
    Rayon de temps actif
    32 ns
    Tension de programmation (VPP)
    1,8 V
    Durée de précharge de rang (TRP)
    16