Kingston Technology KF316C10BBK2/8 module de mémoire 8 Go 2 x 4 Go DDR3 240-pin DIMM

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    Référence fabricant : KF316C10BBK2/8
    Kingston Technology KF316C10BBK2/8. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 2 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR3, Support de mémoire: 240-pin DIMM, Latence CAS: 10
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    Caractéristiques
    Latence CAS10
    Mémoire interne8 Go
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)2 x 4 Go
    Type de mémoire interneDDR3
    composant pourPC/serveur
    Support de mémoire240-pin DIMM
    ECCNon
    Canaux de mémoireDouble canal
    Mémoire de tension1.5 V
    Configuration de module512M x 64
    Temps du cycle de la ligne (TRC)48,125 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)260 ns
    Rayon de temps actif37,5 ns
    Type de refroidissementRadiateur
    RétroéclairageNon
    Norme JEDECOui
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 85 °C
    Température hors fonctionnement-55 - 100 °C
    Logiciel
    Prise en charge du système d'exploitation WindowsOui
    Prise en charge du système d'exploitation LinuxOui
    Poids et dimensions
    Largeur133,3 mm
    Profondeur7,1 mm
    Hauteur34 mm
    Données logistiques
    Code du système harmonisé84733020
    Autres caractéristiques
    Pays d'origineTaïwan
    Kingston Technology
    KF316C10BBK2/8

    Fiche technique

    Prise en charge du système d'exploitation Windows
    Oui
    Température d'opération
    0 - 85 °C
    Largeur
    133,3 mm
    Profondeur
    7,1 mm
    Hauteur
    34 mm
    Code du système harmonisé
    84733020
    Pays d'origine
    Taïwan
    Température hors fonctionnement
    -55 - 100 °C
    Mémoire interne
    8 Go
    Type de mémoire interne
    DDR3
    Prise en charge du système d'exploitation Linux
    Oui
    Support de mémoire
    240-pin DIMM
    Canaux de mémoire
    Double canal
    composant pour
    PC/serveur
    ECC
    Non
    Rétroéclairage
    Non
    Type de refroidissement
    Radiateur
    Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
    2 x 4 Go
    Mémoire de tension
    1.5 V
    Latence CAS
    10
    Configuration de module
    512M x 64
    Temps du cycle de la ligne (TRC)
    48,125 ns
    Refresh row cycle time (TRFC)
    260 ns
    Rayon de temps actif
    37,5 ns
    Norme JEDEC
    Oui